CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

An SiC MESFET-based MMIC process

Mattias Südow (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap) ; Kristoffer Andersson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Niklas Billström ; Jan Grahn (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap) ; Hans Hjelmgren (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Per-Åke Nilsson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Johan Ståhl ; Herbert Zirath (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap) ; Niklas Rorsman (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap)
IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques Vol. 54 (2006), 12, Part 1, p. 4072-4078.
[Artikel, refereegranskad vetenskaplig]

A monolithic microwave integrated circuit (MMIC)process based on an in-house SiC MESFET technology has been developed. The process uses microstrip technology, and a complete set of passive components, including MIMcapacitors, spiral inductors,thin-film resistors, and via-holes, has been developed. The potential of the process is demonstrated by an 8-W power amplifier at 3 GHz, a high-linearity -band mixer showing a third-order intercept point of 38 dBm, and a high-power limiter.



Denna post skapades 2009-10-09. Senast ändrad 2017-03-21.
CPL Pubid: 99925

 

Läs direkt!


Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)