CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Charging phenomena at the interface between high-k dielectrics and SiOx interlayers

Olof Engström (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fysikalisk elektronik) ; Bahman Raeissi (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fysikalisk elektronik) ; Johan Piscator (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fysikalisk elektronik) ; I. Z. Mitrovic ; S. Hall ; H. D. B. Gottlob ; M. Schmidt ; P.K. Hurley ; K. Cherkaoui
8th Symposium Diagnostics & Yield Advanced Silicon Devices and Technologies for the ULSI Era, Warsaw, June 22 - 24, 2009 (Invited) (2009)
[Konferensbidrag, refereegranskat]


Denna post skapades 2009-09-22.
CPL Pubid: 98503

 

Institutioner (Chalmers)

Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fysikalisk elektronik (2007-2010)

Ämnesområden

Teknisk fysik
Materialfysik med ytfysik

Chalmers infrastruktur