CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

High power HBV multipliers for F- and G- band applications

T. Arezoo Emadi (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Josip Vukusic (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Mattias Ingvarson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Arne Øistein Olsen (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Tomas Bryllert (Extern ; Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Erik L. Kollberg (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Jan Stake (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik)
IRMMW 2004/THz 2004 / M. Thumm, W. Wiesbeck p. 319-320. (2004)
[Konferensbidrag, refereegranskat]

Progress and realisation of applications in the 100-240 GHz region is inhibited by the lack of high-power sources. Therefore, in an effort to reach watts of output power, we have tailored devices, circuits, materials, and design and fabrication methods for improved thermal management and high overall conversion efficiencies.

Nyckelord: HBV, frequency multiplier



Denna post skapades 2006-08-29. Senast ändrad 2014-09-02.
CPL Pubid: 9499

 

Läs direkt!


Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)


Institutioner (Chalmers)

Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik

Ämnesområden

Elektroteknik
Elektronik

Chalmers infrastruktur