CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Characteristic of Rapid Thermal Annealing on GaIn(N)(Sb)As/GaAs Quantum Well Grown by Molecular Beam Epitaxy

Huan Zhao (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik) ; Yingqiang Xu ; Haiqiao Ni ; Shiyong Zhang ; Donghai Wu ; Qin Han ; Ronghan Wu ; Zhichuan Niu
Jounal of Applied Physics Vol. 99 (2006), p. 034903.
[Artikel, refereegranskad vetenskaplig]


Denna post skapades 2009-06-02.
CPL Pubid: 94591

 

Institutioner (Chalmers)

Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik

Ämnesområden

Elektroteknik och elektronik

Chalmers infrastruktur