CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Wafer bonding strength increased by mobile ions

Bahman Raeissi (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fysikalisk elektronik) ; Anke Sanz-Velasco (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Bionanosystem) ; Olof Engström (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fysikalisk elektronik)
Proceeding of EUROSOI 2009 p. 99-100. (2009)
[Konferensbidrag, refereegranskat]

Mechanical bonding energies of oxygen plasma treated and room temperature wafer bonded silicon surfaces have been measured as a function of storage time in parallel with measurements of electrical interface properties. We find that the surface energy increases with a time dependence similar to that of decreasing interface state concentration. The current versus voltage behaviour reveals the existence of mobile ions. We conclude that these mobile charges after reaction with the interface states give rise to the increased surface energy responsible for the bonding.



Denna post skapades 2009-03-23.
CPL Pubid: 91807

 

Institutioner (Chalmers)

Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fysikalisk elektronik (2007-2010)
Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Bionanosystem (2007-2015)

Ämnesområden

Elektroteknik och elektronik

Chalmers infrastruktur