CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

High Power Heterostructure Barrier Varactor Quintupler Sources for G-Band Operation

Josip Vukusic (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fysikalisk elektronik) ; Tomas Bryllert (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fysikalisk elektronik) ; Jan Stake (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fysikalisk elektronik)
Proceedings of the 19th International Symposium on Space Terahertz Technology, [ISSTT 2008], April 28 to 30, 2008, Groningen, the Netherlands (2008)
[Konferensbidrag, refereegranskat]

We have designed a frequency multiplier based on Heterostructure Barrier Varactors (HBVs) at 202 GHz. The InGaAs/InAlAs/InP HBV diodes were flip-chip mounted onto an aluminium-nitride (AlN) substrate with the microstrip pattern. The AlN-circuit was then mounted in an ultra compact 30x9 mm waveguide block. A quintupler (x5) operating at 202 GHz produced an output power of 23 mW.

Nyckelord: HBV, terahertz sources, millimeter wave components



Denna post skapades 2009-01-19. Senast ändrad 2017-01-27.
CPL Pubid: 88465

 

Läs direkt!


Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)


Institutioner (Chalmers)

Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fysikalisk elektronik (2007-2010)

Ämnesområden

Informations- och kommunikationsteknik
Nanovetenskap och nanoteknik
Elektroteknik och elektronik

Chalmers infrastruktur

NFL/Myfab (Nanofabrication Laboratory)