CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

A Single-Ended Resistive $X$-Band AlGaN/GaN HEMT MMIC Mixer

Mattias Südow (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Kristoffer Andersson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Martin Fagerlind (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Mattias Thorsell (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Per-Åke Nilsson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Niklas Rorsman (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik)
IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques (0018-9480 ). Vol. 56 (2008), 10, p. 2201-2206.
[Artikel, refereegranskad vetenskaplig]

A broadband highly linear X-band mixer in AlGaN/GaN monolithic microwave integrated circuit technology has been designed, processed, and characterized. The design is based on a 4 times 100 mum AlGaN/GaN HEMT in a single-ended circuit topology. The mixer has an IF bandwidth of 2 GHz with a conversion loss (CL) of < 8 dB across the X-band with a minimum CL of 6.9 dB at 11 GHz. The large-signal performance is exemplified by IIP 3 levels of 22 and 30 dBm at local oscillator drive levels of 15 and 23 dBm, respectively. A minimum noise figure of 9 dB is achieved at 11.6 GHz.

Nyckelord: III-V semiconductors MMIC mixers aluminium compounds gallium compounds high electron mobility transistors intermodulation distortion network topology semiconductor device noise wide band gap semiconductors



Denna post skapades 2009-01-16. Senast ändrad 2015-07-28.
CPL Pubid: 88217

 

Läs direkt!


Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)


Institutioner (Chalmers)

Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik

Ämnesområden

Halvledarfysik
Elektronik

Chalmers infrastruktur