CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Influence of gate position on dispersion characteristics of GaN HEMTs

Martin Fagerlind (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Herbert Zirath (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Urban Forsberg ; Anders Lundskog ; Anelia Kakanakova-Gerorgieva ; Erik Janzén ; Niklas Rorsman (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik)
WOCSDICE 2008, Abstract book p. 99-100. (2008)
[Konferensbidrag, refereegranskat]

GAN HEMTs with varying design have been fabricated to optimize device performance. The focus of this report is the minimization of drain current dispersion by the variation of the electric field distribution. In this work this is done by varying the placement of the gate and to some extent varying gate length and length of the gate connected field plate. We present pulsed IV characteristics for a number of different device designs.



Denna post skapades 2009-01-15. Senast ändrad 2015-08-10.
CPL Pubid: 87451

 

Institutioner (Chalmers)

Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik

Ämnesområden

Elektronik

Chalmers infrastruktur