CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Leakage current effects on C-V plots of high-k MOS capacitors

Y Lu ; S. Hall ; I. Z. Mitrovic ; W.M. Davey ; Bahman Raeissi (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap) ; Olof Engström (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fysikalisk elektronik) ; K. Cherkaoui ; S Monaghan ; P.K. Hurley ; H.D.B. Gottlob ; M.C. Lemme
WODIM, Berlin, June 2008 (2008)
[Konferensbidrag, refereegranskat]


Denna post skapades 2009-01-15. Senast ändrad 2009-05-27.
CPL Pubid: 87419

 

Institutioner (Chalmers)

Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap
Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fysikalisk elektronik (2007-2010)

Ämnesområden

Teknisk fysik
Materialfysik med ytfysik

Chalmers infrastruktur