CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Characterization of the temperature dependent access resistances in AlGaN/GaN HEMTs

Mattias Thorsell (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik ; GigaHertz Centrum) ; Kristoffer Andersson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik ; GigaHertz Centrum) ; Martin Fagerlind (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Mattias Südow (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Per-Åke Nilsson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Niklas Rorsman (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik)
Workshop on Integrated Nonlinear Microwave and Millimetre-Wave Circuits, 2008. INMMIC 2008. p. 17-20. (2008)
[Konferensbidrag, refereegranskat]

The temperature dependence of the access resistances for AlGaN/GaN HEMTs is investigated. The self-heating is measured using infrared microscopy and the access resistances are extracted at different ambient temperatures. Their influence on the intrinsic small signal parameters is studied versus bias and ambient temperature.

Nyckelord: Thermal, Small signal, Modelling, GaN, HEMT


Article number 4745703



Denna post skapades 2009-01-15. Senast ändrad 2016-06-23.
CPL Pubid: 87059

 

Läs direkt!


Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)