CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

A study of deep energy-level traps at the 4H-SiC/SiO2 interface and their passivation by hydrogen

Fredrik Allerstam (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Einar Sveinbjörnsson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik)
Materials Science Forum. International Conference on Silicon Carbide and Related Materials. Otsu, JAPAN. OCT 14-19, 2007 (0255-5476). Vol. 600-603 (2009), p. 755-758.
[Konferensbidrag, refereegranskat]


Denna post skapades 2008-12-08. Senast ändrad 2016-05-13.
CPL Pubid: 79847

 

Institutioner (Chalmers)

Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik

Ämnesområden

Halvledarfysik
Materialteknik

Chalmers infrastruktur