CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Surface passivation oxide effects on the current gain of 4H-SiC bipolar junction transistors

Hyung-Seok Lee ; Martin Domeij ; Carl-Mikael Zetterling ; Mikael Östling ; Fredrik Allerstam (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Einar Sveinbjörnsson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik)
Applied Physics Letters Vol. 92 (2008), p. 082113.
[Artikel, refereegranskad vetenskaplig]


Denna post skapades 2008-12-08.
CPL Pubid: 79845

 

Institutioner (Chalmers)

Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik

Ämnesområden

Halvledarfysik
Materialteknik

Chalmers infrastruktur