CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Very Low Threshold Current Density 1.292 µm GaInNAs Triple Quantum Well Lasers

Huan Zhao (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik) ; Göran Adolfsson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik) ; Shumin Wang (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik) ; Mahdad Sadeghi (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Nanotekniklaboratoriet) ; Anders Larsson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik)
Electronics Letters (0013-5194). Vol. 44 (2008), 7, p. 475-477.
[Artikel, refereegranskad vetenskaplig]

Very-low-threshold Ga0.62In0.38N 0.007As0.993/GaN0.011As0.989/GaAs triple quantum well (QW) lasers emitting at 1.29m are demonstrated. The laser structure was grown by molecular beam epitaxy after extensive optimisations of growth and in situ annealing conditions. As-cleaved broad-area lasers with a cavity length of 1mm under pulsed operation showed a record low-threshold current density of 400A/cm2 (∼130A/cm2/QW), a high differential efficiency of 0.32W/A/facet and a characteristic temperature of 94K in the temperature range 10 to 110°C. © The Institution of Engineering and Technology 2008.



Denna post skapades 2008-12-02. Senast ändrad 2016-07-22.
CPL Pubid: 79483