CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Low-frequency noise in silicon nanogaps

Jonas Berg (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fasta tillståndets elektronik) ; Per Lundgren (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fasta tillståndets elektronik) ; Peter Enoksson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fasta tillståndets elektronik) ; Stefan Bengtsson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fasta tillståndets elektronik)
Applied Physics Letters (0003-6951). Vol. 87 (2005), 21, p. 223107.
[Artikel, refereegranskad vetenskaplig]

Silicon nanogaps are contact structures for connecting organic molecules. An insulating layer is removed by etching, and this dramatically increases the current levels and the noise, which closely resembles a 1/f-law and scales with the square of the current. After etching the noise level at 30 Hz and 10 nA is in the order of 10-21 A2/Hz, which is more than two orders of magnitude larger than before etching. We model the noisy behavior by several percolation paths in parallel at the etched surface between the electrodes, and compare with soft breakdown in thin oxide.

Nyckelord: Silicon nanogaps, Molecular electronics, Low-frequency noise



Denna post skapades 2007-01-15. Senast ändrad 2015-12-17.
CPL Pubid: 7881

 

Läs direkt!


Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)


Institutioner (Chalmers)

Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fasta tillståndets elektronik (2003-2006)

Ämnesområden

Fysik

Chalmers infrastruktur

Relaterade publikationer

Denna publikation ingår i:


Electrical Characterization of Silicon Nanogaps