CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Can molecular resonant tunneling diodes be used for local refresh of DRAM memory cells?

Jonas Berg (Institutionen för mikroelektronik, Fasta tillståndets elektronik) ; Per Lundgren (Institutionen för mikroelektronik, Fasta tillståndets elektronik) ; Stefan Bengtsson (Institutionen för mikroelektronik, Fasta tillståndets elektronik)
Solid State Electronics (0038-1101). Vol. 44 (2000), 12, p. 2247-2252.
[Artikel, refereegranskad vetenskaplig]

Nyckelord: Negative differential resistance, low power DRAM memory cells, molecular electronics, resonant tunnelling diodes



Denna post skapades 2006-09-19. Senast ändrad 2015-12-17.
CPL Pubid: 7854

 

Läs direkt!


Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)


Institutioner (Chalmers)

Institutionen för mikroelektronik, Fasta tillståndets elektronik (1997-2003)

Ämnesområden

Elektroteknik och elektronik

Chalmers infrastruktur

Relaterade publikationer

Denna publikation ingår i:


Silicon nanogaps: An electronic bridge to the molecular world


Electrical Characterization of Silicon Nanogaps