CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Design of highly efficient, high output power, L-band class D-1 RF power amplifiers using GaN MESFET devices

Ulf Gustavsson ; T. Lejon ; Christian Fager (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Herbert Zirath (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap)
Proc. European Conference on Wireless Technologies p. 371-374. (2007)
[Konferensbidrag, refereegranskat]


Denna post skapades 2008-10-21. Senast ändrad 2017-03-21.
CPL Pubid: 76024