CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

A carbon nanotube gated carbon nanotube transistor with 5 ps gate

Johannes Svensson ; Yury A. Tarakanov (Institutionen för teknisk fysik, Kondenserade materiens teori) ; DongSu Lee ; Jari M. Kinaret (Institutionen för teknisk fysik, Kondenserade materiens teori) ; YungWoo Park ; Eleanor E B Campbell
Nanotechnology (0957-4484). Vol. 19 (2008), p. 325201.
[Artikel, refereegranskad vetenskaplig]

Semiconducting carbon nanotubes (CNTs) are attractive as channel material for field-effect transistors due to their high carrier mobility. In this paper we show that a local CNT gate can provide a significant improvement in the subthreshold slope of a CNT transistor compared to back gate switching and provide gate delays as low as 5 ps. The CNT gated CNT transistor devices are fabricated using a two-step chemical vapour deposition technique. The measured transfer characteristics are in very good agreement with theoretical modelling results that provide confirmation of the operating principle of the transistors. Gate delays below 2 ps should be readily achievable by reducing the thickness of the gate dielectric.

Nyckelord: carbon nanotubes

Den här publikationen ingår i följande styrkeområden:

Läs mer om Chalmers styrkeområden  

Denna post skapades 2008-10-07. Senast ändrad 2014-10-09.
CPL Pubid: 74956


Läs direkt!

Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)

Institutioner (Chalmers)

Institutionen för fysik (GU) (GU)
Institutionen för teknisk fysik, Kondenserade materiens teori (1900-2015)


Nanovetenskap och nanoteknik
Den kondenserade materiens fysik

Chalmers infrastruktur

Relaterade publikationer

Denna publikation ingår i:

Carbon-nanotube-based nanoelectromechanical transistors