CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Direct observation of lateral carrier diffusion in ridge waveguide 1.3 um GaInNAs-GaAs lasers using scanning near-field optical microscopy

Göran Adolfsson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik) ; Shumin Wang (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik) ; Mahdad Sadeghi (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Nanotekniklaboratoriet) ; Jörgen Bengtsson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik) ; Anders Larsson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik) ; Jun Lim ; Ville Vilokkinen ; P. Melanen
21st IEEE International Semiconductor Laser Conference, ISLC 2008; Sorrento; Italy; 14 September 2008 through 18 September 2008 (08999406). p. 55-56. (2008)
[Konferensbidrag, refereegranskat]

Scanning near-field optical microscopy measurements of the lateral spontaneous emission profile for narrow ridge waveguide 1.3 um GaInNAs-GaAs lasers reveal significant lateral carrier diffusion, which can explain the high characteristic temperature of the threshold current.

Nyckelord: semiconductor lasers, InGaNAs, characteristic temperature, lateral carrier diffusion, SNOM


Article number 4636006



Denna post skapades 2008-10-06. Senast ändrad 2016-06-03.
CPL Pubid: 74862

 

Läs direkt!


Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)