CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Electron traps at HfO2/SiOx interfaces

Bahman Raeissi (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fysikalisk elektronik) ; Yang Yin Chen (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fysikalisk elektronik) ; Johan Piscator (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fysikalisk elektronik) ; Zonghe Lai (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Nanotekniklaboratoriet) ; Olof Engström (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fysikalisk elektronik)
Proceeding of 38th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2008), Edinburgh, Scotland, UK (1930-8876). p. 130-133. (2008)
[Konferensbidrag, refereegranskat]

Electron traps in HfO2 have been investigated by measuring thermally stimulated current (TSC). Two different interface regions have been identified where captured electrons interact with energy band states. The two domains are separated by and close to the “interlayer” of SiOx commonly present in high-k/silicon stacks. On the inner side, between SiOx and silicon, we find an irregular silicon crystal which we interpret as a source for interface states. At the SiOx/HfO2 interface, we find a high concentration of unstable traps with a strong influence on the electric field distribution in the gate stack.



Denna post skapades 2008-09-24.
CPL Pubid: 74312

 

Institutioner (Chalmers)

Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fysikalisk elektronik (2007-2010)
Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Nanotekniklaboratoriet

Ämnesområden

Elektroteknik och elektronik
Materialteknik
Teknisk fysik

Chalmers infrastruktur