CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Influence of Field Plates and Surface Traps on Microwave Silicon Carbide MESFETs

Per-Åke Nilsson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Fredrik Allerstam (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Mattias Südow (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Kristoffer Andersson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Hans Hjelmgren (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Einar Sveinbjörnsson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Niklas Rorsman (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik)
IEEE Transactions on Electron Devices (0018-9383). Vol. 55 (2008), 8, p. 1875-1879.
[Artikel, refereegranskad vetenskaplig]

The influence of field plates and surface traps on silicon carbide MESFETs for microwave operation was investigated. By increasing the length of gate-connected field plates from 50 to 800 nm, it was possible to increase the gate–drain breakdown voltage of the devices from 125 to 170 V. At the same time, the current slump effect of traps in the passivation oxide was reduced. By using a combination of field plates and a passivation oxide with low interface trap density, it was possible to reach an output power density of 8 W/mm at 3 GHz.



Denna post skapades 2008-09-22. Senast ändrad 2015-07-28.
CPL Pubid: 74223

 

Läs direkt!


Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)