CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

An AlGaN/GaN HEMT-Based Microstrip MMIC Process for Advanced Transceiver Design

Mattias Südow (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Martin Fagerlind (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Mattias Thorsell (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Kristoffer Andersson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Niklas Billström ; Per-Åke Nilsson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Niklas Rorsman (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik)
IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques (0018-9480). Vol. 56 (2008), 8, p. 1827-1833.
[Artikel, refereegranskad vetenskaplig]

A MMIC process in AlGaN/GaN technology for advanced transceiver design has been developed. The process is based on microstrip technology with a complete model library of passive elements and AlGaN/GaN HEMTs. The transistor technology in this process is suitable for both power and low noise design, demonstrated with a power density of 5 W/mm, and an ${rm NF}_{min}$ of 1.4 dB at $X$ -band. Process stability of subcircuits, complementary to power amplifiers and LNAs, in a transceiver system have been investigated. The results indicate that an all AlGaN/GaN MMIC transceiver is realizable using this technology.



Denna post skapades 2008-09-16. Senast ändrad 2015-07-28.
CPL Pubid: 74026

 

Läs direkt!


Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)


Institutioner (Chalmers)

Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik

Ämnesområden

Elektronik

Chalmers infrastruktur

Relaterade publikationer

Denna publikation ingår i:


Characterization of Microwave Transistors for Robust Receivers and High Efficiency Transmitters