CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

A Radio Frequency Single-Electron Transistor Based on an InAs/InP Heterostructure Nanowire

Henrik A. Nilsson ; Tim Duty (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Kvantkomponentfysik) ; Simon Abay (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Kvantkomponentfysik) ; Christopher Wilson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Kvantkomponentfysik) ; Jakob B. Wagner ; Claes Thelander ; Per Delsing (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Kvantkomponentfysik) ; Lars Samuelson
Nano Letters (1530-6984). Vol. 8 (2008), 3, p. 872-875.
[Artikel, refereegranskad vetenskaplig]

We demonstrate radio frequency single-electron transistors fabricated from epitaxially grown InAs/InP heterostructure nanowires. Two sets of double-barrier wires with different barrier thicknesses were grown. The wires were suspended 15 nm above a metal gate electrode. Electrical measurements on a high-resistance nanowire showed regularly spaced Coulomb oscillations at a gate voltage from - 0.5 to at least 1.8 V. The charge sensitivity was measured to 32 mu e(rms) Hz (- 1/2) at 1.5 K. A low-resistance single-electron transistor showed regularly spaced oscillations only in a small gate-voltage region just before carrier depletion. This device had a charge sensitivity of 2.5 mu e(rms) Hz (- 1/2). At low frequencies this device showed a typical 1/f noise behavior, with a level extrapolated to 300 mu e(rms) Hz (- 1/2) at 10 Hz.



Denna post skapades 2008-09-01. Senast ändrad 2016-07-07.
CPL Pubid: 73423

 

Läs direkt!


Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)


Institutioner (Chalmers)

Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Kvantkomponentfysik

Ämnesområden

Lågtemperaturfysik
Mesoskopisk fysik

Chalmers infrastruktur

Relaterade publikationer

Denna publikation ingår i:


Charge transport in InAs nanowire devices