CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

High-k-oxide/silicon interfaces characterized by capacitance frequency spectroscopy

Bahman Raeissi (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fysikalisk elektronik) ; Johan Piscator (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fysikalisk elektronik) ; Olof Engström (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fysikalisk elektronik) ; S. Hall ; O. Buiu ; M.C. Lemme ; H.D.B. Gottlob ; P.K. Hurley ; K. Cherkaoui ; H.J. Osten
Solid-State Electronics Vol. 52 (2008), p. 1274.
[Artikel, refereegranskad vetenskaplig]

Electron capture into insulator/silicon interface states is investigated for high-k dielectrics of Gd2O3 prepared by molecular beam epitaxy (MBE) and atomic layer deposition (ALD), and for HfO2 prepared by reactive sputtering, by measuring the frequency dependence of Metal Oxide Semiconductor (MOS) capacitance. The capture cross sections are found to be thermally activated and to increase steeply with the energy depth of the interface electron states. The methodology adopted is considered useful for increasing the understanding of high-k-oxide/silicon interfaces.

Nyckelord: MOS, High-k, HfO2, Gd2O3, Capacitance frequency spectroscopy, Capture cross section



Denna post skapades 2008-08-31.
CPL Pubid: 73380

 

Institutioner (Chalmers)

Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fysikalisk elektronik (2007-2010)

Ämnesområden

Elektroteknik och elektronik
Materialteknik
Teknisk fysik

Chalmers infrastruktur