CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

A generalised methodology for oxide leakage current metric

Olof Engström (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fysikalisk elektronik) ; Johan Piscator (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fysikalisk elektronik) ; Bahman Raeissi (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fysikalisk elektronik) ; P.K. Hurley ; K. Cherkaoui ; S. Hall ; M.C. Lemme ; H.D.B. Gottlob
Proceeding of 9th European Workshop on Ultimate Integration of Silicon (ULIS), Udine, Italy p. 167. (2008)
[Konferensbidrag, refereegranskat]

From calculations of semiconductor interface charge, oxide voltage and tunneling currents for MOS systems with equivalent oxide thickness (EOT) in the range of 1 nm, rules are suggested for making it possible to compare leakage quality of different oxides with an accuracy of a factor 2 – 3 if the EOT is known. The standard procedure suggested gives considerably better accuracy than the commonly used method to determine leakage at VFB+1V for n-type and VFB-1V for p-type substrates.



Denna post skapades 2008-08-26.
CPL Pubid: 73290

 

Institutioner (Chalmers)

Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fysikalisk elektronik (2007-2010)

Ämnesområden

Elektroteknik och elektronik

Chalmers infrastruktur