CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Thermal characterization of the intrinsic noise parameters for AlGaN/GaN HEMTs

Mattias Thorsell (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik ; GigaHertz Centrum) ; Kristoffer Andersson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik ; GigaHertz Centrum) ; Martin Fagerlind (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Mattias Südow (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Per-Åke Nilsson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Niklas Rorsman (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik)
International Microwave Symposium Digest, 2008, Atlanta (0149-645X). p. 463-466. (2008)
[Konferensbidrag, refereegranskat]

The noise parameters of AlGaN/GaN-HEMTs are measured between 298 K and 423 K. The temperature dependent access resistances are de-embedded and the intrinsic noise parameters are studied as a function of temperature. It is shown that the parasitic access resistances are limiting the highfrequency noise performance of the AlGaN/GaN-HEMT.The intrinsic noise sources are extracted and a noise model is derived and verified for a MMIC amplifier.

Nyckelord: Noise, gallium-nitride, thermal



Denna post skapades 2008-06-27. Senast ändrad 2015-07-28.
CPL Pubid: 72193

 

Institutioner (Chalmers)

Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
GigaHertz Centrum

Ämnesområden

Elektronik

Chalmers infrastruktur