CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Influence of oxynitride (SiOxNy) passivation on the microwave performance of AlGaN/GaN HEMTs

Vincent Desmaris (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik ; Institutionen för radio- och rymdvetenskap, Avancerad mottagarutveckling) ; Jin-Yu Shiu (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik ; Extern) ; Niklas Rorsman (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Herbert Zirath (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; E. Y. Chang
Solid-State Electronics Vol. 52 (2008), p. 632-636.
[Artikel, refereegranskad vetenskaplig]

The effects of the composition of oxynitride passivations (SiOxNy) deposited by plasma enhanced chemical-vapor deposition (PECVD) at room temperature on the microwave performance of AlGaN/GaN high electron mobility transistors (HEMTs) were investigated. Five different SiOxNy passivating layers were deposited covering the whole range of dielectrics combinations from SiOx to SiNy. Their impacts on the HEMT performance were studied by means of DC, S-parameters, pulsed IV and load-pull measurements. The oxynitride dielectric with a refraction index of 1.58 was shown to be an effective SiOxNy passivation for limiting the gate-lag effects in the HEMTs and at the same time increasing the breakdown voltage of the device. It is thus a promising passivation layer for microwave power high voltage and high power applications.



Denna post skapades 2008-06-16. Senast ändrad 2015-08-10.
CPL Pubid: 71793

 

Institutioner (Chalmers)

Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Institutionen för radio- och rymdvetenskap, Avancerad mottagarutveckling (2005-2010)

Ämnesområden

Elektroteknik och elektronik
Elektrofysik
Övrig elektroteknik, elektronik och fotonik
Materialfysik med ytfysik

Chalmers infrastruktur