CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Interface defects in HfO2, LaSiOx and Gd2O3 high-k/metal gate structures on silicon: Energy distribution and passivation

P.K. Hurley ; K. Cherkaoui ; E O'Connor ; A.W. Groenland ; M.C. Lemme ; H.D.B. Gottlob ; M Schmidt ; S. Hall ; Y. Lu ; O. Buiu ; Bahman Raeissi (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap) ; Johan Piscator (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap) ; Olof Engström (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap)
Proc. Electrochemical Society Meeting, Washington DC, October 2007 (2007)
[Konferensbidrag, refereegranskat]


Denna post skapades 2008-01-17.
CPL Pubid: 67390

 

Institutioner (Chalmers)

Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap

Ämnesområden

Teknisk fysik

Chalmers infrastruktur