CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

The formation and characterisation of lanthanum oxide based Si/High-k/NiSi gate stacks by electron beam evaporation: An examination of in-situ amorphous silicon capping and NiSi formation

P.K. Hurley ; M. Pijolat ; K. Cherkaoui ; E. O'Connor ; D. O'Donnel ; M.A. Negara ; M.C. Lemme ; H.D.B. Gottlob ; M Schmidt ; K. Stegmaier ; U. Schwalke ; S. Hall ; O Buiu ; Olof Engström (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap) ; S.B. Newcomb
ECS Transactions Vol. 11 (2007), 4, p. 145.
[Artikel, refereegranskad vetenskaplig]


Denna post skapades 2008-01-17.
CPL Pubid: 67371

 

Institutioner (Chalmers)

Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap

Ämnesområden

Teknisk fysik

Chalmers infrastruktur