CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Strong 1.3--1.6 µm light emission from metamorphic InGaAs quantum wells on GaAs

Ivar Tångring (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik)
Applied Physics Letters Vol. 86 (2005), p. 171902.
[Artikel, refereegranskad vetenskaplig]

Nyckelord: Metamorphic growth; Molecular beam epitaxy; Semiconducting III–V materials



Denna post skapades 2006-08-29.
CPL Pubid: 6631

 

Institutioner (Chalmers)

Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik

Ämnesområden

Fysik
Materialteknik

Chalmers infrastruktur

Relaterade publikationer

Denna publikation ingår i:


Design and Characterization of 1.3-1.6 µm Metamorphic Materials and Lasers on GaAs