CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Optimization of 1.3 µm metamorphic InGaAs quantum wells on GaAs grown by molecular beam epitaxy

Ivar Tångring (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik)
Journal of Crystal Growth Vol. 281 (2005), 2-4, p. 220-226.
[Artikel, refereegranskad vetenskaplig]

Nyckelord: Metamorphic growth; Molecular beam epitaxy; Semiconducting III–V materials



Denna post skapades 2006-08-29.
CPL Pubid: 6630

 

Institutioner (Chalmers)

Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik

Ämnesområden

Fysik
Materialteknik

Chalmers infrastruktur

Relaterade publikationer

Denna publikation ingår i:


Design and Characterization of 1.3-1.6 µm Metamorphic Materials and Lasers on GaAs