CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

1200V 5.2 mohmcm2 4H-SiC BJTs with a high common-emitter current gain

H. S. Lee ; M. Domeij ; C.M. Zetterling ; M. Östling ; Fredrik Allerstam (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Einar Sveinbjörnsson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik)
IEEE Electron Device Letters Vol. 28 (2007), 11, p. 1007-1009.
[Artikel, refereegranskad vetenskaplig]


Denna post skapades 2008-01-14.
CPL Pubid: 66021

 

Institutioner (Chalmers)

Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik

Ämnesområden

Elektroteknik och elektronik

Chalmers infrastruktur