CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

DC and RF performance of 0.2-0.4µm gate length InAs/AlSb HEMTs

Malin Borg (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap) ; Eric Lefebvre (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap) ; Mikael Malmkvist (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap) ; Ludovic Desplanque ; Xavier Wallart ; Yannick Roelens ; Gilles Dambrine ; Alain Cappy ; Sylvain Bollaert ; Jan Grahn (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap)
Proc. 19th Indium Phosphide and Related Materials p. pp. 67-70. (2007)
[Konferensbidrag, refereegranskat]


Denna post skapades 2008-01-14.
CPL Pubid: 66005

 

Institutioner (Chalmers)

Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap

Ämnesområden

Elektronik

Chalmers infrastruktur