CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Characterization of insulated-gate versus Schottky-gate InAs/AlSb HEMTs

Mikael Malmkvist (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap) ; Eric Lefebvre (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap) ; Malin Borg (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap) ; Ludovic Desplanque ; Xavier Wallart ; Gilles Dambrine ; Sylvain Bollaert ; Jan Grahn (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap)
Proc. European Microwave Integrated Circuit Conference (EuMIC) p. pp. 24-27. (2007)
[Konferensbidrag, refereegranskat]


Denna post skapades 2008-01-14.
CPL Pubid: 65991

 

Institutioner (Chalmers)

Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap

Ämnesområden

Elektronik

Chalmers infrastruktur

Relaterade publikationer

Denna publikation ingår i:


Optimization of narrow bandgap HEMTs for low-noise and low-power applications