CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Nb3Al thin film deposition for low-noise terahertz electronics

Dimitar Dochev (Institutionen för radio- och rymdvetenskap, Avancerad mottagarutveckling) ; Alexey Pavolotsky (Institutionen för radio- och rymdvetenskap, Avancerad mottagarutveckling) ; Victor Belitsky (Institutionen för radio- och rymdvetenskap, Avancerad mottagarutveckling) ; Hans Olofsson (Institutionen för radio- och rymdvetenskap, Nationella anläggningen för radioastronomi)
Journal of Physics : Conference Series Vol. 97 (2008), 1, p. 012072 (6 pp.).
[Artikel, refereegranskad vetenskaplig]

Higher energy gap superconducting materials were always interesting for low-noise mixer applications such as superconductor-insulator-superconductor tunnel junctions (SIS) and hot-electron bolometer (HEB) used in sub-millimeter and terahertz parts of electro-magnetic spectrum. Here, we report a novel approach for producing Nb3Al thin film by co-sputtering from two confocally arranged Nb and Al dc-magnetrons onto substrate heated up to 830°C. Characterization of the deposited films revealed presence of the A15 phase and measured critical temperature was up to 15.7 K with the transition width 0.2-0.3 K for a 300 nm thick film. We measured the film critical magnetic field and studied influence of annealing on the film properties. We have investigated compositional depth profile of the deposited films by spectroscopy of reflected electrons.



Denna post skapades 2008-01-11. Senast ändrad 2014-09-02.
CPL Pubid: 65648

 

Institutioner (Chalmers)

Institutionen för radio- och rymdvetenskap, Avancerad mottagarutveckling (2005-2010)
Institutionen för radio- och rymdvetenskap, Nationella anläggningen för radioastronomi (2005-2010)

Ämnesområden

Supraledning

Chalmers infrastruktur

Relaterade publikationer

Denna publikation ingår i:


Growth and Characterization of Nb3Al Thin Films for Low-Noise Terahertz Electronics