CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

High performance, long wavelength InGaAs/GaAs multiple quantum-well lasers grown by molecular beam epitaxy

Göran Adolfsson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik) ; Shumin Wang (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik) ; Mahdad Sadeghi (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Nanotekniklaboratoriet) ; Anders Larsson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik)
Electronic Letters Vol. 43 (2007), 8, p. 454-456.
[Artikel, refereegranskad vetenskaplig]

High-quality 1.2 µm InGaAs/GaAs single and triple quantum well lasers grown by molecular beam epitaxy are demonstrated. For the triple quantum well, a record low threshold current density of 107 A/cm2/well is achieved for a 100 x 1000 µm laser.



Denna post skapades 2008-01-09. Senast ändrad 2016-04-11.
CPL Pubid: 65259

 

Läs direkt!


Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)