CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Manipulation of strain relaxation in metamorphic heterostructures

Ivar Tångring (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik) ; Zonghe Lai (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Nanotekniklaboratoriet) ; Shumin Wang (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Mahdad Sadeghi (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap) ; Anders Larsson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik)
Applied Physics Letters Vol. 90 (2007), p. 071904.
[Artikel, refereegranskad vetenskaplig]

The authors have discovered that high doping densities in an alloy graded InGaAs buffer have dramatic effects on strain relaxation dynamics and consequently surface and optical qualities in metamorphic heterostructures. Compared with undoped graded buffers, the use of Be doping significantly improves structural, surface, and optical qualities while the use of Si doping deteriorates all these properties. This discovery is significant for the realization of metamorphic optoelectronic devices.



Denna post skapades 2008-01-09. Senast ändrad 2016-04-11.
CPL Pubid: 64995