CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Cryogenic X-Band Low Noise Amplifiers

Naiara Goia (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Matthew Kelly (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Anna Malmros (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Niklas Wadefalk (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; J. Piotr Starski (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik)
4th ESA International Workshop on Tracking, Telemetry & Command Systems for Space Applications (2007)
[Konferensbidrag, refereegranskat]

This paper describes a number of cryogenic low noise amplifiers with very low noise for the frequency band 8.4-8.5 GHz. The amplifiers have been designed with different inputs: o standard coaxial o waveguide o coaxial followed by a high directivity 30 dB microstrip coupler At 10 K ambient temperature the three-stage partly InP-based amplifiers have a gain of 33.0+/-0.5 dB and a noise temperature of 5 -7K. The InP transistors used in the amplifiers were processed at Chalmers clean room facility in our own proprietary process.

Nyckelord: cryogenic low noise amplifier, HEMT, InP, noise temperature, LNA



Denna post skapades 2008-01-08. Senast ändrad 2010-09-02.
CPL Pubid: 64715

 

Institutioner (Chalmers)

Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik

Ämnesområden

Elektronik

Chalmers infrastruktur