CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Metamorphic InGaAs quanum wells for light emission at 1.3 – 1.6 µm

Shumin Wang (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik) ; Ivar Tangring (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik) ; Qinfen Gu (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap) ; Mahdad Sadeghi (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap) ; Anders Larsson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik) ; Xiaodong Wang ; C.H. Ma ; I.A. Buyanova ; W.M. Chen
Thin Solid Films (0040-6090). Vol. 515 (2007), 10, p. 4348-4351.
[Artikel, refereegranskad vetenskaplig]

Metamorphic InGaAs quantum well structures grown on GaAs reveal strong light emission at 1.3-1.6 mu m, smooth surface with an average roughness below 2 nm. and good rectifying I-V characteristics. Dark line defects are found in the QW Post growth thermal annealing further improves the luminescence efficiency but does not remove those dark line defects. Some challenges of epitaxial growth using this method for laser applications are discussed.

Nyckelord: metamorphic; InGaAs quantum well; light emission

Denna post skapades 2008-01-07. Senast ändrad 2016-10-24.
CPL Pubid: 64601


Läs direkt!

Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)