CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Formation of deep traps at the 4H-SiC/SiO2 interface when utilizing sodium enhanced oxidation

Fredrik Allerstam (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Gudjon Gudjonsson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Einar Sveinbjörnsson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Thomas Rödle ; Rik Jos
Materials Science Forum (0255-5476). Vol. 556-557 (2007), p. 517-520.
[Konferensbidrag, refereegranskat]


Denna post skapades 2008-01-07. Senast ändrad 2011-09-19.
CPL Pubid: 64563

 

Institutioner (Chalmers)

Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik

Ämnesområden

Halvledarfysik

Chalmers infrastruktur

Relaterade publikationer

Denna publikation ingår i:


Electrical Characterization of Thermally Oxidized Silicon Carbide