CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Sodium Enhanced Oxidation of Si-face 4H-SiC: a Method to Remove Near Interface Traps

Einar Sveinbjörnsson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Fredrik Allerstam (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Halldór Örn Ólafsson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Gudjon Gudjonsson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Dimitar Dochev (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Thomas Rödle ; Rik Jos
Materials Science Forum (0255-5476). Vol. 556-557 (2007), p. 487-492.
[Konferensbidrag, refereegranskat]


Denna post skapades 2008-01-07. Senast ändrad 2011-09-19.
CPL Pubid: 64560

 

Institutioner (Chalmers)

Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik

Ämnesområden

Halvledarfysik

Chalmers infrastruktur