CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

A strong reduction in the density of near-interface traps at the SiO2/4H-SiC interface by sodium enhanced oxidation

Fredrik Allerstam (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Halldór Örn Ólafsson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Gudjon Gudjonsson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Dimitar Dochev (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Einar Sveinbjörnsson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Thomas Rödle ; Rik Jos
Journal of Applied Physics (00218979). Vol. 101 (2007), p. 124502.
[Artikel, refereegranskad vetenskaplig]


Denna post skapades 2008-01-07.
CPL Pubid: 64544

 

Institutioner (Chalmers)

Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik

Ämnesområden

Halvledarfysik

Chalmers infrastruktur

Relaterade publikationer

Denna publikation ingår i:


Electrical Characterization of Thermally Oxidized Silicon Carbide