CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Comparison between oxidation processes used to obtain the high inversion channel mobility in 4H-SiC MOSFETs

Fredrik Allerstam (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Gudjon Gudjonsson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Halldór Örn Ólafsson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Einar Sveinbjörnsson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Thomas Rödle ; Rik Jos
Semicond. Sci. Technol. (0268-1242). Vol. 22 (2007), 4, p. 307-311.
[Artikel, refereegranskad vetenskaplig]


Denna post skapades 2008-01-07.
CPL Pubid: 64543

 

Institutioner (Chalmers)

Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik

Ämnesområden

Halvledarfysik
Elektrofysik

Chalmers infrastruktur

Relaterade publikationer

Denna publikation ingår i:


Electrical Characterization of Thermally Oxidized Silicon Carbide