CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Mn enriched surface of (GaMn)As layers annealed under arsenic capping

Martin Adell (Institutionen för teknisk fysik, Fasta tillståndets fysik) ; Johan Adell (Institutionen för teknisk fysik, Fasta tillståndets fysik) ; Janusz Kanski (Institutionen för teknisk fysik, Fasta tillståndets fysik) ; Lars Ilver (Institutionen för teknisk fysik, Fasta tillståndets fysik) ; J. Sadowski ; J.Z. Domagala
Physical Review B Vol. 75 (2007), p. 54415.
[Artikel, refereegranskad vetenskaplig]


Denna post skapades 2007-12-12.
CPL Pubid: 62864

 

Institutioner (Chalmers)

Institutionen för teknisk fysik, Fasta tillståndets fysik (2005-2015)

Ämnesområden

Halvledarfysik

Chalmers infrastruktur

Relaterade publikationer

Denna publikation ingår i:


Synchrotron light based spectroscopy of MBE-grown (GaMn)As structures