CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

GaAs:Mn nanowires grown by molecular beam epitaxy of (Ga,Mn)As at MnAs segregation conditions

J. Sadowski ; P. Dluzewski ; S. Kret ; E. Janik ; E. Lusakowska ; Janusz Kanski (Institutionen för teknisk fysik, Fasta tillståndets fysik) ; A Presz ; F. Terki ; S. Charar ; D Tang
Nano Letters Vol. 7 (2007), p. 2724.
[Artikel, refereegranskad vetenskaplig]


Denna post skapades 2007-12-12.
CPL Pubid: 62858

 

Institutioner (Chalmers)

Institutionen för teknisk fysik, Fasta tillståndets fysik (2005-2015)

Ämnesområden

Halvledarfysik

Chalmers infrastruktur