CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Characterization of semiconducting glaze by dielectric spectroscopy in frequency domain

Heike Ullrich (Institutionen för elkraftteknik, Högspänningsteknik) ; Stanislaw Gubanski (Institutionen för elkraftteknik, Högspänningsteknik)
Solid Dielectrics, 2004. ICSD 2004. Proceedings of the 2004 IEEE International Conference on p. 123-126. (2004)
[Konferensbidrag, refereegranskat]

Nyckelord: IV-VI semiconductors, chemical analysis, dielectric polarisation, dielectric relaxation, electrical contacts, electrical resistivity, glass, scanning electron microscopy, 10/sup 8/ to 10/sup 9/ ohmm, 4 micron, SnO/sub 2/, chemical analysis, circuit model, dc conductance, dielectric response, dielectric spectroscopy, electrical contacts, frequency domain, glass, glassy layer, low-conductive barrier, nonlinear voltage dependence, polarization relaxation, resistivity, scanning electron microscopy, semiconducting glaze, structural analysis,tin oxide particles



Denna post skapades 2006-09-25. Senast ändrad 2007-11-26.
CPL Pubid: 6247

 

Läs direkt!


Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)


Institutioner (Chalmers)

Institutionen för elkraftteknik, Högspänningsteknik (1900-2004)

Ämnesområden

Elektroteknik och elektronik
Materialteknik

Chalmers infrastruktur