CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Effect of oxygen vacancies in the SrTiO3 substrate on the electrical properties of the LaAlO3/SrTiO3 interface

Alexei Kalaboukhov (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Kvantkomponentfysik) ; Robert Gunnarsson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap) ; Johan Börjesson (Institutionen för teknisk fysik, Mikroskopi och mikroanalys) ; Eva Olsson (Institutionen för teknisk fysik, Mikroskopi och mikroanalys) ; Dag Winkler (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Kvantkomponentfysik) ; Tord Claeson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Kvantkomponentfysik)
Physical Review B (1098-0121 ). Vol. 75 (2007), 12, p. 121404R.
[Artikel, refereegranskad vetenskaplig]

We experimentally investigated optical, electrical, and microstructural properties of heterointerfaces between two thin-film perovskite insulating materials, SrTiO3 (STO) and LaAlO3 (LAO), deposited at different oxygen pressure conditions. Cathode and photoluminescence experiments show that oxygen vacancies are formed in the bulk STO substrate during the growth of LAO films, resulting in high electrical conductivity and mobility values. In both high and low oxygen pressure interfaces, the electrical Hall mobilities follow a similar power-law dependence as observed in oxygen reduced STO bulk samples. The results are confirmed on a microscopic level by local strain fields at the interface reaching 10 nm into the STO substrate.

Nyckelord: vacancies (crystal), cathodoluminescence, strontium compounds, lanthanum compounds, crystal microstructure, insulating thin films, photoluminescence, electrical conductivity, Hall mobility, interface structure, substrates



Denna post skapades 2007-10-03. Senast ändrad 2014-11-27.
CPL Pubid: 51139

 

Läs direkt!


Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)


Institutioner (Chalmers)

Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Kvantkomponentfysik
Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap
Institutionen för teknisk fysik, Mikroskopi och mikroanalys (2005-2012)

Ämnesområden

Ytor och mellanytor
Halvledarfysik
Elektronstruktur

Chalmers infrastruktur

Relaterade publikationer

Denna publikation ingår i:


The Role of Interfacial Microstructure of Perovskite Thin FIlms - A High Resolution and In Situ Study