CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Deep traps at GaAs/GaAs interfaces grown by MBE interrupted growth technique

M Kaniewska ; Olof Engström (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap)
Materials Science and Engineering C Vol. 27 (2007), p. 1069.
[Artikel, refereegranskad vetenskaplig]


Denna post skapades 2007-09-19.
CPL Pubid: 48843

 

Institutioner (Chalmers)

Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap

Ämnesområden

Elektroteknik och elektronik
Teknisk fysik

Chalmers infrastruktur