CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Gain bandwidth of NbN hot-electron bolometer terahertz mixers on 1.5 um Si3N4 /SiO2 membranes

Sergey Cherednichenko (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fysikalisk elektronik) ; Vladimir Drakinskiy (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fysikalisk elektronik) ; Jean Baubert ; Jean-Michel Krieg ; Boris Voronov ; Gregory Gol'tsman ; Vincent Desmaris (Institutionen för radio- och rymdvetenskap, Avancerad mottagarutveckling)
Journal of Applied Physics Vol. 101 (2007), 12, p. 124508-1-(6).
[Artikel, refereegranskad vetenskaplig]

The gain bandwidth of NbN hot-electron bolometer terahertz mixers on electrically thin Si3N4 /SiO2 membranes was experimentally investigated and compared with that of HEB mixers on bulk substrates. A gain bandwidth of 3.5 GHz is achieved on bulk silicon, whereas the gain bandwidth is reduced down to 0.6–0.9 GHz for mixers on 1.5 um Si3 N4 /SiO2 membranes. We show that application of a MgO buffer layer on the membrane extends the gain bandwidth to 3 GHz. The experimental data were analyzed using the film-substrate acoustic mismatch approach.

Nyckelord: terahertz, bolometer, mixer, NbN, superconductivity, camera, astronomy, HEB



Denna post skapades 2007-07-30. Senast ändrad 2017-01-27.
CPL Pubid: 44560

 

Läs direkt!


Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)


Institutioner (Chalmers)

Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fysikalisk elektronik (2007-2010)
Institutionen för radio- och rymdvetenskap, Avancerad mottagarutveckling (2005-2010)

Ämnesområden

Lågtemperaturfysik

Chalmers infrastruktur