CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Extracting the relative dielectric constant for “high-k layers”from CV measurements – errors and error propagation

Octavian Buiu (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap) ; S. Hall ; Olof Engström (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fasta tillståndets elektronik) ; Bahman Raeissi (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fasta tillståndets elektronik) ; Max Lemme (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap) ; Paul Hurley (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap) ; Karim Cherkaoui (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap)
Microelectronics Reliability Vol. 47 (2007), p. 678.
[Artikel, refereegranskad vetenskaplig]


Denna post skapades 2007-05-22. Senast ändrad 2010-10-12.
CPL Pubid: 41980

 

Institutioner (Chalmers)

Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap
Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fasta tillståndets elektronik (2003-2006)

Ämnesområden

Elektroteknik och elektronik

Chalmers infrastruktur