CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Characterization of deep levels at GaAs/GaAs and GaAs/InAs interfaces grown by MBE-interrupted growth technique

M Kaniewska ; Olof Engström (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fasta tillståndets elektronik) ; M Pacholak-Cybulska ; Mahdad Sadeghi (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap)
Physica Status Solidi (a) Vol. 204 (2007), p. 987.
[Artikel, refereegranskad vetenskaplig]


Denna post skapades 2007-05-22. Senast ändrad 2010-10-15.
CPL Pubid: 41979

 

Institutioner (Chalmers)

Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fasta tillståndets elektronik (2003-2006)
Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap

Ämnesområden

Fysik

Chalmers infrastruktur